Транзисторы шоттки справочник

На сайте вы можете скачать «Транзисторы шоттки справочник» в isilo, LRF, JAR, RTF, PRC TXT, CHM, TCR, HTML, EPUB, DOC, FB2, МОВІ, PDF, AZW3, DJVU, LIT!

Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Следующая Биполярный транзистор в цифровых интегральных микросхемах обычно выполняет функцию ключа, и все время работает либо в режиме насыщения, либо в режиме отсечки. В режиме насыщения происходит накопление неосновных носителей заряда в базе транзистора, а также в коллекторной области. Процессы накопления неосновных носителей их последующего рассасывания при переводе транзистора в режим отсечки связаны с относительно медленным процессом диффузии неосновных носителей заряда.

Справочник по импортным диодам с барьером Шоттки

Инерционность этих процессов определяет скорость переключения транзистора из включенного состояния в выключенное и обратно, т. Для ускорения процесса накопления и рассасывания неосновных носителей заряда целесообразно ограничить их накопление. Достичь этого можно путем шунтирования коллекторного перехода транзистора диодом Шоттки, т. Структура такого интегрального транзистора показана на рис.

Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы. — МегаЛекции

Структура транзистора с диодом Шоттки Алюминиевый электрод образует с p-областью базы омический переход, а переход между алюминиевым электродом и относительно высокоомной n-областью коллектора получается выпрямляющим. Из-за неравенства работ выхода электронов из алюминия из кремния с электропроводностью n-типа и в результате химической обработки поверхности кремниевого кристалла на контакте для электронов возникает потенциальный барьер, несколько меньший высоты потенциального барьера на коллекторном переходе.

Поэтому при прямом смещении коллекторного перехода и соответственно при прямом смещении диода Шоттки основная часть прямого тока коллектора будет проходить через диод Шоттки. Этот ток связан с движением электронов из n-области коллектора в металлический электрод и не сопровождается инжекцией дырок в n-область коллектора.

В результате время рассасывания в транзисторе с диодом Шоттки оказывается значительно меньшим несколько наносекундчем время рассасывания в транзисторе аналогичной структуры, но без шунтирующего диода Шоттки.

Справочник по диодам Шоттки.

Распределение концентрации неосновных носителей заряда в различных областях транзистора при его работе в режиме насыщения: Таким образом, на контактах алюминиевых электродов с эмиттерной областью и с сильнолегированной частью коллекторной области получаются омические контакты, а их формирование и формирование выпрямляющего контакта Шоттки осуществляется во время одного процесса металлизации. Изготовление интегрального транзистора с диодом Шоттки не требует введения дополнительных технологических операций.

Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия диоксида кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. При снятии диоксида кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения pn-перехода коллектора неконтролируемыми примесями.

Структурное решение, показанное на рис. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта VSETSM3. Так, сдвоенный диод Шоттки Schottky rectifier 60CPQ рассчитан на максимальное обратное напряжение V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер! Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать А максимум!

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают изображают диод Шоттки как обычный диод.