Справочник по ик микросхемам энн

У нас вы можете ознакомиться с «Справочник по ик микросхемам энн» в EPUB, RTF, TCR, JAR, LIT, isilo, HTML, LRF, МОВІ, TXT, PRC FB2, DJVU, PDF, AZW3, CHM, DOC!

Коротко об отечественных телефонных сетях 1. Спаренное включение телефонных аппаратов 1. Технические характеристики и принцип работы аппаратуры АОН 1.

Техническая библиотека — Справочник по ремонту телефонных аппаратов

Классификация телефонных аппаратов 1. Принципы построения кнопочных телефонных аппаратов 1. Структурные схемы кнопочных телефонных аппаратов. Принцип работы микросхем ЭНН 2. Характеристики микросхем электронного набора номера. Таким образом, изображенный на схеме рис. Для увеличения числа входов элемента увеличивают число последовательно соединенных транзисторов с каналом р-типа и параллельно соединенных транзисторов с каналом n-типа.

Для построения элементов с функцией И-НЕ транзисторы с каналом р-типа соединяют параллельно, с каналом п-типа — последовательно. Как видно из зависимости, переключение элемента происходит при входном напряжении, близком к половине напряжения питания.

Диоды VD7 и VD8 рис. При превышении входным напряжением напряжения источника питания открываются диоды VD1 — VD4, что исключает подачу на затворы транзисторов напряжения, превышающего напряжение питания. При снижении входного напряжения до уровня, более низкого, чем потенциал общего провода, открываются диоды VD5 и VD6. В микросхемах серии К первых выпусков для защиты входов использовались диоды-стабилитроны с напряжением включения порядка 30 В, которые устанавливались вместо VD5 и VD6.

Микросхемы серий К, К, КР выпускаются в пластмассовых корпусах с двухрядным расположением 14, 16 или 24 штыревых выводов, а микросхемы серии — в корпусах с тем же количеством выводов, расположенных в одной плоскости, в так называемых планарных корпусах.

Для микросхем серий К и гарантируется работоспособность при напряжении питания от 3 до 15 В, для КР — от 3 до 18 В. Выходные уровни микросхем при работе на однотипные микросхемы практически не отличаются от напряжения питания и потенциала общего провода.

Максимальный выходной ток большинства микросхем серий К, К и не стандартизирован и не превышает единиц миллиампер, что несколько затрудняет непосредственное согласование микросхем этих серий с какими-либо индикаторами и микросхемами ТТЛ-серий. Отличительной особенностью микросхем серии КР является наличие буферных элементов не только на выходах сложных элементов, как в микросхемах серий К, К ино и на входах и выходах всех микросхем, независимо от их сложности.

Кроме того, в микросхемах серии КР улучшена защита от перегрузок как по входу, так и по выходу, в выходные цепи добавлены небольшие токоограничительные резисторы.